MCD 50-B和MCD 125-B/NPE滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)DIN、VDE 6F5 Part6（Draft 11.89）A1,A2對(duì)B類(lèi)器件的需求條件，以及標(biāo)準(zhǔn)IEC61643-1（02，89）對(duì)第Ι級(jí)浪涌保護(hù)器的要求，他們與后級(jí)限壓型電涌保護(hù)器配合使用時(shí)，無(wú)需設(shè)計(jì)退耦裝置，可以將兩極保護(hù)器安裝在一起。該產(chǎn)品是OBO在間隙型浪涌保護(hù)器的多電極石磨堆疊技術(shù)新發(fā)展。 MCD 50-B以其低保護(hù)電壓水平（Up≤1.31KV）的特性，確保了與C級(jí)浪涌保護(hù)器配合使用時(shí)，不需要設(shè)計(jì)退耦裝置或者在B級(jí)和 C級(jí)之間留一定的安裝距離。這樣它可以節(jié)省超過(guò)45%的安裝空間，MCD 50-B這個(gè)特性特別是對(duì)緊湊型Z-MC概念有著特殊的貢獻(xiàn)。另外，NPE放電間隙MCD125-B/NPE雷擊電涌保護(hù)器其大通流量的特性在TT、TN-S系統(tǒng)中使用，可以同時(shí)作為B和C級(jí)浪涌保護(hù)器的NPE保護(hù)模塊，節(jié)省費(fèi)用及安裝空間。 新的MCD50-B和MCD125-B/NPE浪涌保護(hù)器周首選的應(yīng)用環(huán)境是，需要有緊湊的防雷保護(hù)概念或者需要在一個(gè)獨(dú)立的小型機(jī)房?jī)?nèi)安裝B和C兩級(jí)浪涌保護(hù)器的環(huán)境。例如：移動(dòng)、微波通信基站。