電容使用的常見(jiàn)誤區(qū)

 很多人在電容的替換中往往愛(ài)用大容量的電容。我們知道雖然電容越大，為IC提供的電流補(bǔ)償?shù)哪芰υ綇?qiáng)。

 且不說(shuō)電容容量的增大帶來(lái)的體積變大，增加成本的同時(shí)還影響空氣流動(dòng)和散熱

ESR越低，效果越好？

 相對(duì)容量的要求，對(duì)ESR的要求可以適當(dāng)?shù)慕档?。因?yàn)檩斎腚娙葜饕悄蛪?，其次是吸收MOSFET的開(kāi)關(guān)脈沖。

 對(duì)于輸出電容來(lái)說(shuō)，耐壓的要求和容量可以適當(dāng)?shù)慕档鸵稽c(diǎn)。ESR的要求則高一點(diǎn)，因?yàn)檫@里要保證的是足夠的電流通過(guò)量。

 但這里要注意的是ESR并不是越低越好，低ESR電容會(huì)引起開(kāi)關(guān)電路振蕩。

 而消振電路復(fù)雜同時(shí)會(huì)導(dǎo)致成本的增加。板卡設(shè)計(jì)中，這里一般有一個(gè)參考值，此作為元件選用參數(shù)，避免消振電路而導(dǎo)致成本的增加。

電源電路中鋁電解的應(yīng)用注意事項(xiàng)

　(1) 防止鹵素腐蝕

　鋁電解電容對(duì)氯元素、溴元素等非常敏感，因此必須嚴(yán)格管控生產(chǎn)工藝過(guò)程中使用的相關(guān)敏感制劑的鹵素成分。

　(2)存儲(chǔ)環(huán)境的控制和定期

　需控制電解電容的存放環(huán)境和時(shí)間，定期進(jìn)行上電賦能。

　鋁電解經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間在高溫環(huán)境下存放飯后，電容陽(yáng)極氧化膜和電解液會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，造成耐壓下降、漏電流增大。當(dāng)突然上電，電容電壓接近額定電壓后，可能引起過(guò)壓失效或漏電流過(guò)大導(dǎo)致過(guò)熱失效。

　(3)合理布局PCB上的器件，使鋁電解電容遠(yuǎn)離熱源

　(4)根據(jù)產(chǎn)品特性，選取固態(tài)電容

　如：在低壓大電流輸出的應(yīng)用場(chǎng)合，使用鋁固態(tài)電容。鋁固態(tài)電容具有極低的ESR和高紋波電流承受能力，非常適用于低壓大電流的整流濾波場(chǎng)合。

鋁電解電容選型要點(diǎn)：介質(zhì)損耗

 電容器在電場(chǎng)作用下消耗的能量，通常用損耗功率和電容器的無(wú)功功率之比，即損耗角的正切值表示（在電容器的等效電路中，串聯(lián)等效電阻ESR 同容抗 1/ωC 之比稱之為 Tan δ，這里的 ESR 是在 120Hz 下計(jì)算獲得的值。顯然，Tan δ隨著測(cè)量頻率的增加而變大，隨測(cè)量溫度的下降而增大）。損耗角越大，電容器的損耗越大，損耗角大的電容不適于高頻情況下工作。散逸因數(shù)dissipationfactor(DF)存在于所有電容器中，有時(shí)DF值會(huì)以損失角tanδ表示。此參數(shù)愈低愈好。但鋁電解電容此參數(shù)比較高。

 DF值是高還是低，就同一品牌、同一系列的電容器來(lái)說(shuō)，與溫度、容量、電壓、頻率……都有關(guān)系；當(dāng)容量相同時(shí)，耐壓愈高的DF值就愈低。此外溫度愈高DF值愈高，頻率愈高DF值也會(huì)愈高。

 外型尺寸

 外型尺寸與重量及接腳型態(tài)相關(guān)。single ended是徑向引線式，screw是鎖螺絲式，另外還有貼片鋁電解電容等。至於重量，同容量同耐壓，但品牌不同的兩個(gè)電容做比較，重量一定不同；而外型尺寸更與外殼規(guī)劃有關(guān)。一般來(lái)說(shuō)，直徑相同、容量相同的電容，高度低的可以代用高度大的電容，但是長(zhǎng)度高的替代低的電容時(shí)就要考慮機(jī)構(gòu)干涉問(wèn)題。

 額定電壓

 鋁電解電容本體上標(biāo)有的容量和耐壓，這兩個(gè)參數(shù)是很重要，是選用電容最基本的內(nèi)容。

在實(shí)際電容選型中，對(duì)電流變化節(jié)奏快的地方要用容量較大的電容，但并非容量越大越好，首先，容量增大，成本和體積可能會(huì)上升，另外，電容越大充電電流就越大，充電時(shí)間也會(huì)越長(zhǎng)。這些都是實(shí)際應(yīng)用選型中要考慮的。